Um relatório do Bank of America aponta que a oferta de novas memórias não deve atender às expectativas no curto prazo, indicando que a SK Hynix deve colocar em operação apenas cerca de um sexto da capacidade de produção inicialmente prevista até 2028.
O presidente da Coreia do Sul, Lee Jae-myung, estabeleceu a meta de dobrar a capacidade de produção de memória do país até 2030, utilizando como base as novas fábricas que a Samsung e a SK Hynix estão construindo em Gwangju e Jeolla. Contudo, fontes da indústria de semicondutores e análises financeiras indicam que os prazos divulgados são irrealistas.
Devido à desativação de instalações antigas para atualização tecnológica e miniaturização de processos, a capacidade operacional sul-coreana de produção de wafers deve crescer menos de 10% ao ano, ficando muito abaixo das metas governamentais. Além disso, a construção e consolidação do ecossistema fabril em Gwangju e Jeolla pode levar mais de dez anos, sendo necessários cinco anos apenas para as fundações e até quatro anos adicionais para a instalação de salas limpas e equipamentos avançados.
Atrasos e impacto na ação coletiva de DRAM
Esses atrasos operacionais impactam diretamente a ação coletiva movida em 25 de junho em um tribunal federal da Califórnia contra Samsung, SK Hynix e Micron, sob acusações de conluio e fixação de preços no mercado de DRAM. O processo representa consumidores e empresas afetados pela escalada de preços de componentes.
A acusação sustenta que as três gigantes utilizaram sua posição dominante no mercado global para promover uma transição coordenada para a memória de alta largura de banda (HBM), voltada para inteligência artificial. Segundo o processo, a reorientação para HBM serviu como pretexto para reduzir artificialmente a produção de formatos de memória mais antigos, como DDR3 e DDR4. A projeção de expansão em ritmo reduzido pela SK Hynix até 2028 adiciona novos elementos aos argumentos dos acusadores na disputa judicial.
fonte da matéria: WCCFtech
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Galindowie • 14 de julho de 2026 às 14:20 GMT-3
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