A Intel apresentou oficialmente, durante o evento Intel Connection Japan 2026 nesta terça-feira, 10 de fevereiro, o primeiro protótipo funcional de sua tecnologia ZAM (Z-Angle Memory). Desenvolvida em parceria com a Saimemory (subsidiária da SoftBank), a nova arquitetura visa solucionar as limitações térmicas e de densidade das atuais memórias HBM, fundamentais para a infraestrutura de Inteligência Artificial.
Diferente do empilhamento vertical tradicional, a ZAM utiliza uma topologia de interconexão escalonada onde as conexões são roteadas diagonalmente dentro da pilha de chips, criando um design que favorece a dissipação de calor e a escalabilidade.
Inovação térmica e eficiência energética
A apresentação, liderada por Joshua Fryman (CTO da Intel Government Technologies) e Makoto Onho (CEO da Intel Japão), destacou que a arquitetura em ângulo Z resolve o maior gargalo das memórias empilhadas: o acúmulo de calor no núcleo da pilha.
- Roteamento Diagonal: Em vez de perfurações verticais diretas (TSVs), a fiação de cobre inclinada permite que o calor se irradie de forma mais eficiente a partir do centro do módulo.
- Densidade Aumentada: O design possibilita um aproveitamento de área mais de 30% superior por chip em comparação à HBM, permitindo empilhar mais camadas sem comprometer a integridade física.
- Consumo Reduzido: Projeções iniciais apontam para um consumo de energia 40-50% menor, um fator crítico para data centers que operam modelos de linguagem de grande escala.
Cronograma de desenvolvimento e impacto no mercado
Embora a Intel tenha saído do mercado de DRAM há décadas, o projeto ZAM marca seu retorno estratégico como um “campeão nacional” de semicondutores, apoiado por programas de tecnologia avançada do governo dos EUA.
| Atributo | Z-Angle Memory (ZAM) | High Bandwidth Memory (HBM) |
| Arquitetura | Interconexão Diagonal (Ângulo Z) | Interconexão Vertical (TSV) |
| Capacidade Máxima | Até 512 GB por chip | ~36 GB a 48 GB (HBM3E/4) |
| Eficiência | Redução de até 50% no consumo | Padrão atual de alto consumo |
| Status Atual | Protótipo funcional (Fev/2026) | Produção em massa (HBM4) |
| Lançamento | Previsto para 2029 | Disponível |
A Saimemory, que lidera a comercialização do projeto, planeja finalizar o desenvolvimento de protótipos em escala industrial até o final de 2027, com a produção em massa visando o mercado de notebooks entusiastas e supercomputadores em 2029. Para a Intel, a ZAM não é apenas um novo produto, mas uma peça fundamental para sua fundição (Intel Foundry) se tornar um centro de inovação em empilhamento de chips (Advanced Packaging), desafiando diretamente a dominância coreana no setor de memórias.
Fonte da matéria: WCCFtech
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Galindowie • 10 de fevereiro de 2026 às 19:50 GMT-3
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