A conferência IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) de 2026 será realizada em fevereiro, em São Francisco. O evento, conhecido por apresentar o que há de mais avançado em pesquisa de semicondutores, terá duração de cinco dias e contará com palestras sobre tecnologias existentes e de próxima geração, com grande destaque para o segmento de memórias.
O cronograma abrange uma lista extensa de tópicos, incluindo processadores, aceleradores de IA, segurança de hardware, computação na memória e transceptores de próxima geração. No entanto, os olhos da indústria estão voltados para as revelações no setor de DRAM.
Avanços em GDDR7 pela SK hynix
Um dos maiores destaques será a apresentação da SK hynix, detalhando sua nova solução de memória GDDR7.
- Velocidade e Densidade: A empresa apresentará chips com densidade de 24 Gb (equivalente a 3 GB de capacidade) operando a impressionantes 48 Gbps.
- Performance: Essas especificações representam uma melhoria de mais de 70% nas taxas de transferência. Um único módulo DRAM poderá produzir até 192 GB/s de largura de banda, comparado aos 112 GB/s dos chips atuais de 28 Gbps.
- Arquitetura: O componente utiliza operação simétrica em modo de 2 canais com otimização do caminho do clock e recursos RAS.
Embora a SK hynix já tivesse planejado atingir esses patamares, ver uma implementação técnica concreta é um grande passo. Contudo, é improvável que vejamos velocidades de 48 Gbps em produtos de consumo imediatamente; GPUs futuras, talvez uma atualização da série atual ou a próxima geração, serão necessárias para aproveitar tal largura de banda.
LPDDR6 e HBM4
Além do foco em gráficos, a conferência trará novidades para dispositivos móveis e data centers:
- LPDDR6: A SK hynix apresentará seu estudo sobre SDRAM LPDDR6 de processo 1cnm com velocidades de até 14,4 Gbps por pino e densidade de 16 Gb. A Samsung também mostrará sua solução, atingindo 12,8 Gbps com a mesma densidade.
- HBM4: A Samsung detalhará sua DRAM HBM4, oferecendo 36 GB de capacidade usando uma solução de 12 camadas. A largura de banda chega a 3,3 TB/s por pilha, preparada para equipar os futuros aceleradores de IA Vera Rubin da NVIDIA.
Evolução da memória gráfica GDDR
Abaixo, um comparativo da evolução das memórias gráficas, incluindo as novas especificações da GDDR7:
| Memória Gráfica | GDDR7 | GDDR6X | GDDR6 | GDDR5X |
| Carga de trabalho | Jogos / IA | Jogos / IA | Jogos / IA | Jogos |
| Exemplo de Plataforma | GeForce RTX 5090 | GeForce RTX 4090 | GeForce RTX 2080 Ti | GeForce GTX 1080 Ti |
| Capacidade do chip (Gb) | 16-64 | 8-32 | 8-32 | 8-16 |
| Número de canais | 12 | 12 | 12 | 12 |
| Gb/s/pino | 28-48 | 19-24 | 14-16 | 11,4 |
| GB/s/chip | 112-192 | 76-96 | 56-64 | 45 |
| GB/s/sistema | 1536-2304 | 912-1152 | 672-768 | 547 |
| Configuração (Exemplo) | 384 I/O | 384 I/O | 384 I/O | 384 I/O |
| VRAM Típica (Sistema) | 24 GB (16 Gb) 36 GB (24 Gb) | 24 GB | 12 GB | 12 GB |
| Pacote de módulos | 266 (BGA) | 180 (BGA) | 180 (BGA) | 190 (BGA) |
| Potência média (pJ/bit) | A definir | 7,25 | 7,5 | 8,0 |
Outras gigantes como Intel, NVIDIA e AMD também têm trabalhos de pesquisa programados, prometendo sessões técnicas aprofundadas durante o evento em 2026.
Fonte da matéria: WCCFtech
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Galindowie • 26 de novembro de 2025 às 00:42 GMT-3
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